最好的时序数据库是哪个，你好你回答三组数据是分别运行在不同工作频率下的时序400

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1，你好你回答三组数据是分别运行在不同工作频率下的时序400
2，prometheus比zabbix好在哪点
3，内存延迟是55618而一般的都是55515
4，数字电路功能表和真值表的区别是什么
5，电脑内存条c14和c16的区别

1，你好你回答三组数据是分别运行在不同工作频率下的时序400

是400MHz 5-5-5-18好还是400MHz 6-6-6-18好呢？这个时序其实就是“响应速度”，因此数字越小越好，5-5-5-18这一组好。

你好你回答三组数据是分别运行在不同工作频率下的时序400

2，prometheus比zabbix好在哪点

你好客观地讲prometheus较zabbix好：（个人观点，仅供参考）1、pull方式获取node数据，并且节点node也可以通过web来查看获取数据。2、告警和监控分离的设计，可以做告警的高可用，也在一定程度上解决了单点故障。3、promSQL，可以使用大量内置函数解决多维度查询和分类。4、时序数据库，可以直接获取时间阶段的变量值和变率，可以简化一部分指标的计算步骤。但并没有感觉到目前“非常火”的原因。希望对你有帮助

prometheus比zabbix好在哪点

3，内存延迟是55618而一般的都是55515

参考下吧:5-5-5-15和4-4-4-12是内存的重要参数:时序.时序的大概意思就是传输数据的延迟.一般来说延迟是越小越好.但是越小的延迟获得的传输数据很小..所以越高延迟的内存传输的数据较大. 一般DDR2 800的时序为6-6-6-18.DDR2 667的时序为在5-5-5-15.而DDR2 533的时序为4-4-4-12. 这些一般都是主板自动检测内存里的信息来调节...也可以手动调节..401.7这个值是参考你的CPU主频来的..如果我没有猜错的话..你的CPU的主频应该是2.81GHz左右.或者是2.41Ghz吧.一般DDR2-800的实际工作频率为400Mhz.你变成401.7肯定是CPU的频率变高了才成这样..另外不同品牌的内存工作在相同频率下的时序有可能不相同...我的内存条为南亚的DDR2-800.工作在400Mhz下的时序为6-6-6-18...这个没有什么.不必去担心..各个厂家设定值不一样..

内存延迟是55618而一般的都是55515

4，数字电路功能表和真值表的区别是什么

1、概念不同：真值表是逻辑事件输入和输出之间全部可能状态的表格。复杂的组合逻辑也有叫功能表。2、效果不同：真值表是在逻辑中使用的一类数学表，用来确定一个表达式是否为真或有效。数字电路功能表有很多特殊功能，但主要功能就是对电压、电阻和电流进行测量，数字多用表。3、表达式不同：真值表中的列标题展示了 (i) 命题函数与/或变量，和 (ii) 建造自这些命题函数或变量和运算符的真值泛函表达式。而数字电路功能表不是。扩展资料：注意事项：1、当无法预先估计待测电压或电流大小的时候，请将旋钮调至最高量程，简单测量一下，然后根据测量结果调至合适的量程。2、在测量时，不能旋转功能开关，特别是高电压或大电流时，严禁带电转换量程，以防烧毁开关触点。3、测试时避免将显示屏正对着阳光，这样不仅晃眼，还会缩短显示屏的使用寿命。数字万用表也不能在高温环境中存放。4、在测量时，不能用手触摸表笔的金属部分，因为人体也是导体，会分走一部分电信号，导致测量数据失真，对人体也不安全。参考资料来源：百度百科-真值表参考资料来源：百度百科-数字万用表参考资料来源：百度百科-数字电路

组合逻辑的输出状态始终与输入状态保持固定的逻辑关系，把所有的输入、输出状态用表格表示出来，一目了然，这就是真值表。复杂的组合逻辑也有叫功能表的，如译码器74ls138的功能表与真值表就没啥不同。而时序逻辑的输出状态取决于3个条件：输入状态、上一次时钟周期的输出状态、时钟的有效时刻，这样的逻辑关系用真值表没法表达，用功能表必要时再加一点注释，就可以很好的表达了。如七段译码器功能表的最后一列是字形结构及亮、灭，这就是注释。如锁存器74ls373的时钟是高电平跟随，下沿锁存，用真值表就无法表达。

很简单，a、b、c、d各有两种状态，总共16种状态，把16种状态下f的取值全部列出来就是真值表了 a b c d f 0 0 0 0 0 0 0 0 1 0 0 0 1 0 0 0 0 1 1 0 0 1 0 0 0 0 1 0 1 1 0 1 1 0 0 0 1 1 1 1 1 0 0 0 1 1 0 0 1 1 1 0 1 0 0 1 0 1 1 0 1 1 0 0 1 1 1 0 1 1 1 1 1 0 0 1 1 1 1 1

功能表说的是逻辑上的关系，比如说开关是否闭合，灯是否亮而真值表是把逻辑功能数字化，变成0,1的的表现形式。

1、概念不同：真值表是逻辑事件输入和输出之间全部可能状态的表格。复杂的组合逻辑也有叫功能表。2、效果不同：真值表是在逻辑中使用的一类数学表，用来确定一个表达式是否为真或有效。数字电路功能表有很多特殊功能，但主要功能就是对电压、电阻和电流进行测量，数字多用表。3、表达式不同：真值表中的列标题展示了 (i) 命题函数与/或变量，和 (ii) 建造自这些命题函数或变量和运算符的真值泛函表达式。而数字电路功能表不是。扩展资料：数字电路是用数字信号完成对数字量进行算术运算和逻辑运算的电路，又称数字系统。由于它具有逻辑运算和逻辑处理功能，所以又称数字逻辑电路。现代的数字电路由半导体工艺制成的若干数字集成器件构造而成。逻辑门是数字逻辑电路的基本单元。存储器是用来存储二进制数据的数字电路。从整体上看，数字电路可以分为组合逻辑电路和时序逻辑电路两大类。参考资料：百度百科——真值表参考资料：百度百科——数字电路

5，电脑内存条c14和c16的区别

1、时序不同内存条c14和内存条c16，他们分别代表各自的时序。2、价格不同c16比c14便宜，性能没有c14好。扩展资料内存条的作用内存是电脑（PC机、单片机）必不可少的组成部分。与可有可无的外存不同，内存是以总线方式进行读写操作的部件；内存决非仅仅是起数据仓库的作用。除少量操作系统中必不可少的程序长驻内存外，我们平常使用的程序，如Windows、Linux等系统软件，包括打字软件、游戏软件等在内的应用软件，虽然把包括程序代码在内的大量数据都放在磁带、磁盘、光盘、移动盘等外存设备上，但外存中任何数据只有调入内存中才能真正使用。电脑上任何一种输入（来自外存、键盘、鼠标、麦克风、扫描仪，等等）和任何一种输出（显示、打印、音像、写入外存，等等）无一不是通过内存才可以进行。内存的分类DDR内存条内存分为DRAM和ROM两种，前者又叫动态随机存储器，它的一个主要特征是断电后数据会丢失，我们平时说的内存就是指这一种；后者又叫只读存储器，我们平时开机首先启动的是存于主板上ROM中的BIOS程序，然后再由它去调用硬盘中的Windows，ROM的一个主要特征是断电后数据不会丢失。根据内存条上的引脚多少，我们可以把内存条分为30线、72线、168线等几种。30线与72线的内存条又称为单列存储器模块SIMM，(SIMM就是一种两侧金手指都提供相同信号的内存结构，)168线的内存条又称为双列存储器模块DIMM。30线内存条已经没有了；前两年的流行品种是72线的内存条，其容量一般有4兆、8兆、16兆和32兆等几种；市场的主流品种是168线内存条，168线内存条的容量一般有16兆、32兆、64兆、128兆等几种，一般的电脑插一条就OK了，不过，只有基于VX、TX、BX芯片组的主板才支持168线的内存条。EDO和SDRAM前面我们已经按引脚数的多少把内存条分为30、72和168线等几种，其实，它们在结构和性能上还有着本质的区别。譬如，72线内存条是一种EDO内存，而现今主流的168线内存条几乎清一色又都是SDRAM内存；EDO内存的存取速度基本保持在60纳秒左右，能够适应75兆赫兹的外频，但跑83兆赫兹则有点勉为其难了；而SDRAM内存的存取速度一般能达到10纳秒左右，能够适应100兆赫兹以上的外频。所以从97年底起EDO内存已逐步被SDRAM所取代，至今，几乎已无人再用EDO来装机了，只有升级扩充旧电脑内存时还用得着它。其实，EDO内存被SDRAM所取代有其必然性，因为，市场上主流CPU的主频已高达2G赫兹，未来CPU的主频还会越来越高。但由于传统内存条的读写速度远远跟不上CPU的速度，迫使CPU插入等待指令周期，从而大大降低了电脑的整体性能。为了缓解这个内存瓶颈的问题，我们就必须采用新的内存结构，即SDRAM。因为，从理论上说，SDRAM与CPU频率同步，共享一个时钟周期。SDRAM内含两个交错的存储阵列，当CPU从一个存储阵列访问数据的同时，另一个已准备好读写数据，通过两个存储阵列的紧密切换，读取效率得到成倍提高。最新的SDRAM的存储速度已高达5纳秒，所以，SDRAM已成为内存发展的主流。

C14 C16指的是时序，时序越低越好实际使用真感觉不到什么区别

如果做普通用途的话，两者差别不大，c9和c11的时序不一样，两个都能超频，但是要在bios里面设置，自动超频是要主板自带功能支持的，复仇者的总体屏风要比普通版高一点，主要体现在高速处理方面

电脑内存条c14和c16的区别：1、价格不同其他条件相同的情况下，数字越小价格越高。2、颗粒不同内存中使用的颗粒不同，数字越小颗粒越好，超频的潜力越高。3、性能不同其他条件相同的情况下，数字越小性能越好。4、时序不同也就是响应时间不同，单位为时钟周期。5、间距不同C14和C16是卡槽间距不一样。扩展资料：DDR2与DDR的区别：与DDR相比，DDR2最主要的改进是在内存模块速度相同的情况下，可以提供相当于DDR内存两倍的带宽。这主要是通过在每个设备上高效率使用两个DRAM核心来实现的。作为对比，在每个设备上DDR内存只能够使用一个DRAM核心。技术上讲，DDR2内存上仍然只有一个DRAM核心，但是它可以并行存取，在每次存取中处理4个数据而不是两个数据。与双倍速运行的数据缓冲相结合，DDR2内存实现了在每个时钟周期处理多达4bit的数据，比传统DDR内存可以处理的2bit数据高了一倍。DDR2内存另一个改进之处在于，它采用FBGA封装方式替代了传统的TSOP方式。尽管DDR2内存采用的DRAM核心速度和DDR的一样，但是仍然要使用新主板才能搭配DDR2内存，因为DDR2的物理规格和DDR是不兼容的。首先是接口不一样，DDR2的针脚数量为240针，而DDR内存为184针；其次，DDR2内存的VDIMM电压为1.8V，也和DDR内存的2.5V不同。参考资料来源：百度百科-内存条

1、时序不同也就是响应时间不同，单位为时钟周期。2、性能不同其他条件相同的情况下，数字越小性能越好。3、价格不同其他条件相同的情况下，数字越小价格越高。4、颗粒不同内存中使用的颗粒不同，数字越小颗粒越好，超频的潜力越高。扩展资料内存时序包含描述同步动态随机存取存储器（SDRAM）性能的四个参数：CL、TRCD、TRP和TRAS，它们的单位为时钟周期。它们通常被四个用破折号分隔开的数字表示，例如16-16-16-36。CAS延迟(CL)：发送一个列地址到内存与数据开始响应之间的周期数。这是从已经打开正确行的DRAM读取第一比特内存所需的周期数。与其他数字不同，这不是最大值，而是内存控制器和内存之间必须达成的确切数字。 RAS到CAS(TRCD)：打开一行内存并访问其中的列所需的最小时钟周期数。从DRAM的非活动行读取第一位内存的时间是TRCD+ CL。 RAS预充电(TRP)：发出预充电命令与打开下一行之间所需的最小时钟周期数。从一个非正确打开行的DRAM读取内存第一比特的时间是TRP+ TRCD+ CL。周期时间(TRAS)：行活动命令与发出预充电命令之间所需的最小时钟周期数。这是内部刷新行所需的时间，并与TRCD重叠。在SDRAM模块中，它只是TRCD+ CL。否则，约等于TRCD+ 2×CL。参考资料：百度百科-内存时序

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